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7 特殊評価試験
EtchPit法はエッチングするだけでSiCウェハの結晶欠陥の位置、種類、数量を正確に見分けられる簡便な手法で、全てのp型−n++型(n>1019cm-3) SiC基板・エピ膜に適用可能です。
 その他、EBIC法、PL法、Raman分光法及びFIB-TEM法を用いたSiC結晶欠陥分析もご要望に応じ承っております。お気軽にご相談下さい。
下記の単価には消費税を含みません
種別 項目 単位 単価(円)
反応・分離特性 特殊材料細孔分布、比表面積測定
(酸素や水分などと反応しやすい材料をシールドしたまま比表面積や細孔分布を測定可能)
試料調整(グローブボックス内) 1試料 30,000〜50,000
細孔分布測定 1試料 80,000
比表面積測定 1試料 65,000
ガス、セル等 -- 別途相談
通常試料(シールド不要な試料)の場合
前処理(350℃-2h 標準)*
1試料 20,000〜
細孔分布測定 1試料 80,000
比表面積測定 1試料 65,000
ガス、セル等 -- 別途相談
*前処理条件(時間)変更の場合 -- 別途相談
ガス透過率測定
試料調製 -- 別途相談
N2ガス(標準)、温度測定(室温〜150℃) 1試料 80,000
その他ガス(同一条件1ガス測定毎) 1試料 18,000
高温測定(150℃以上) 1試料 別途相談
解析 1測定 別途相談
ガス等 -- 別途相談
ガス透過率測定②(JISR1761準拠) -- 別途相談
細孔分布評価
試料調製 -- 別途相談
毛管凝縮法-1(0.5〜30nm、水蒸気) 1試料 80,000
毛管凝縮法-2(0.015〜500μm、Airガス、室温測定) -- 80,000
解析 -- 別途相談

種別 項目 単位 単価(円)
SiC結晶欠陥分析 EtchPit法によるエッチング(転位の種類・分布・密度を同時測定)
・手法:KOH or KOH+Na2O2(KN)エッチング
・p-n++ SiC に適用可能
・SiCの結晶系によらず適用可能
・0-8°オフで適用可能
ウエハサイズ 1inchφ以下 基本料金(条件出し)
1枚 35,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ以下 1枚
(1〜5枚目)
6,000 ※2
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 基本料金(条件出し) 1枚 60,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 1枚
(1〜5枚目)
10,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ 1枚 95,000 ※1
ウエハサイズ 4inchφ 1枚
(1〜5枚目)
20,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ以上 -- 別途相談
ウエハサイズ 0.3 inchφ以下 -- 別途相談
解析 -- 別途相談
(000T)C面のエッチング -- 別途相談
※1 ・ウエハに合わせて条件設定するため同等品のダミー1枚必要
(ダミー確認時のレーザー顕微鏡写真は添付。 各ウエハの写真は別料金)
※2 ・1枚目の設定条件に従う場合
(1枚毎に条件設定が必要な場合は2枚目以降の割引はなし)
・1回の発注は5枚以内
KOH+Na2O2(KN)エッチング:基本料金×2(条件出し+1枚目)+割引料金(2〜5枚目)
種別 項目 単位 単価(円)
破壊ガス分析 10-7Pa程度の超高真空で支点間距離30nn-10mm の4点曲げにより試験片を破断し、
破面等から放出されるガスを質量分析計定性分析する。
室温、試験片寸法は4mmx3mmx40mm。
分析可能な質量数はm/e=1〜50 3点曲げ、引張り等にも対応可。
最少受注本数:3本
1本 40,000
上記の単価には消費税を含みません

詳細料金表 1-1 | 1-2 | 1-3 | 1-4 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9〜10

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特殊材料細孔分布・比表面積測定


特徴
粉末などの細孔分布や比表面積は、通常、空気中で取り扱い、試料ホルダーに導入して測定します。本評価方法では、試料ホルダーを密閉式とし、空気雰囲気で取り扱い困難な材料について、細孔分布・比表面積の測定を可能としております。

主な仕様
グローブボックス(美和製作所、DBO-1特型)
・循環ガス:Ar
・水分値(露点):-80℃
・酸素値:1ppm
グローブボックス

細孔分布・比表面積測定装置(シスメックス株式会社、Autosorb-1)
・吸着ガス
 非腐食性ガス:N2、Ar、CO2、C4H10
 クリプトンガス:Kr
 化学吸着用ガス(腐食性可):NH3、CO2、H2、CO、O2
※現状使用では、N2とArで使用
・性能
 比表面積:0.05m2/g以上
 測定相対圧力:1×10-7<P<P0<1
 細孔分布:0.35<D<500nm
 容積検出限界値: <0.0001ml/g


JFCC

SiCウェハの結晶欠陥分析

次世代パワーデバイス用SiCウェハの結晶欠陥の位置、種類、数量を正確且つ簡便に見分けるEtchPit法及びEBIC法を世界で初めて開発



JFCC

(000T)C面のエッチング


図:SiC カーボン面エッチピット法による貫通転位の検出と分類
(エッチング実施・撮影:JFCC, 2014年2月)
Threading dislocations revealed from the (000-1)C-face of SiC
(Etched and observed at JFCC in Feb. 2014)

詳細料金表 1-1 | 1-2 | 1-3 | 1-4 | 1-5 | 1-6 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9〜10
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お問合せ・お申込先
〒456-8587 名古屋市熱田区六野二丁目4番1号
(一財) ファインセラミックスセンター 材料評価・試作グループ
TEL 052-871-3379(ダイヤルイン)
FAX 052-871-3599
e-mail:analysis@
(※メール発信は@の後ろに jfcc.or.jp を付けて送付ください)

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