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2011-8

パワーデバイス・青色LED開発を支援するSiCの欠陥分析技術


概要

SiCウエハの欠陥の多面的評価を通じてパワーデバイス・青色LEDの開発に貢献



保有技術・設備

EBIC法
特願2010-189627
Etch pit法
特願2010-13376
欠陥の種類・三次元分布の測定
エピ・基板界面の転位挙動
積層欠陥の電子に対する挙動
転位の電子に対する挙動
転位の種類・分布・密度を同時測定
p-n++ SiC に適用可能
SiCの結晶系によらず適用可能
0-8°オフで適用可能

PL法
積層欠陥・多形・転位・歪みの検出
深さ方向分布
表面敏感
Raman分光法
積層欠陥・多形・ひずみの検出
マッピング
温度変化その場観察
非破壊
FIB-TEM法
転位の構造決定
狙った転位の観察
バーガースベクトルの決定
転位の進展方向の観察


適用分野
 
SiCパワーデバイスおよびGaN-LED開発
 ・SiCウエハ開発
 ・エピタキシャル技術開発
 ・ウエハの機械加工開発
 ・SiCウエハ品質保証



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