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2012-11

薄膜材料の電子・光物性評価技術


技術のポイント

電子物性(キャリアタイプ・濃度・移動度)と光物性(光学定数n・k、膜厚)の評価・連携を通じて電子・光学材料薄膜の開発に貢献



保有技術・設備

電子物性評価
ホール係数測定装置
ResiTest 8300(東陽テクニカ製)
比抵抗 :10-5 〜109Ωcm(試料厚さ1mm)
キャリア濃度 :1023cm-3以下
ホール移動度 :0.001cm2/Vs以上(抵抗107Ω)
磁場強度 :DC -0.52〜+0.52T, AC〜0.36Trms
温度設定範囲 :77K〜473K
光学特性評価
分光エリプソメータ
UVISEL(堀場Jobin-Yvon製)
変調・分光方式 :位相変調・モノクロメータ分光式
波長範囲 :190〜2100 nm
エネルギー範囲 :0.6〜6.5eV
膜厚測定精度 :±1%以内 (NIST標準サンプル)
ビーム径 :1.0×3.0mmの楕円(サンプル上)

電子物性 ⇔ 光学特性 を連携させた評価による透明導電膜の機能向上




適用分野

材料固有の
光・電子物性評価
表面反応層の膜厚・
組成・電子物性評価
太陽電池・液晶用 薄膜
の電子・光物性評価
分散系材料における
各要素の組成・割合



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