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2014-17

エッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術


技術のポイント

エッチピット法により、SiCウエハ欠陥を簡便かつ安価で多面的に評価・解析します



保有技術・設備

<エッチピット法>
 溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法
 特願 : 2010-013376 
 SiCウエハの結晶欠陥位置, 種類, 密度が正確に判別可能

<メリット>
 従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して,簡便かつ安価で評価可能

<適用可能なSiCウエハ>
 p型-n++型SiC基板・エピ膜のSi面に適用可能
 4インチまで適用可能
 4インチ以上,C面については,別途相談

活用/成果の例

エッチピット法による実施例
(a) エッチング後のレーザー顕微鏡写真  (b) ピット形状と転位の対応
Y. Yao et. al, Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.


適用分野

・ SiCデバイスの開発:
・ SiCウエハ, エピタキシャル膜品質の評価, ウエハの品質保証, デバイスの不良解析



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