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先端評価・開発 研究開発トップに戻る

 ファインセラミックスに関わる製造プロセスから特性評価試験技術の開発を行っています。これらの技術開発とともに外部のお客様からの依頼試験には、ファインセラミックス製品製造技能士資格を有するスタッフが対応し、また開発機器のご利用も頂いております。
プロセス技術
 原料調整、成形、焼結、加工等の一連のファインセラミックス製造プロセス業務全般とそれに関連する粉体評価、化学分析、摩擦摩耗試験、表面分析を行っています。
 また、化学的手法を用いたセラミックス膜の作製と評価や複合材料の作製も行っています。
評価技術
 ファインセラミックスの曲げ強さ、引張強度、疲労、クリープなどの機械的強度試験をはじめ熱特性、電気特性の試験を行っています。さらにこれらの試験評価方法の開発及び非破壊試験技術の開発を行っています。
 また、論文から特性データを抽出し、データベースとして提供しています。

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2015年度 研究成果 2015年度の一覧に戻る

2015-1 エッチング法によるSiC研磨ダメージ層の除去とエピ膜品質の向上
  機械研磨によるSiC基板表面ダメージ層を化学エッチングで除去し、基板上のエピ膜品質を大幅に向上
2015-2 レーザー加熱法による熱衝撃試験と破壊メカニズム解析
  苛酷な熱環境で使用される材料の熱衝撃特性に関する評価手法を開発し破壊メカニズムを解析
2015-3 微小液滴を原料とする高圧力化学気相析出プロセスの開発
  大気圧近傍の高圧力下でセラミックス膜を作製可能な静電噴霧−化学気相析出(ES-CVD)法を開発
2015-4 エアロゾルデポジション法における原料粒子の特性と製膜性
  製膜時における原料粒子の運動エネルギーと破壊特性の観点から製膜性について検討
2015-5 多孔質材料の熱伝導率の雰囲気圧力依存性解析
  多孔質材料の熱伝導率の雰囲気圧力依存性を評価し、熱伝導率の変化と空隙サイズとの関係について解析


2014年度 研究成果 2014年度の一覧に戻る

2014-1 LED用サファイア基板精密研磨のための電界CMP用複合砥粒開発
  サファイア研摩特性に優れ、外部印加電界応答性に優れた材料の複合化砥粒を開発した
2014-2 SiC結晶切断方法によるダメージ導入の評価
  遊離砥粒ワイヤーソー切断と固定砥粒ワイヤーソー切断で導入される結晶欠陥の特徴を評価・解析する
2014-3 パワーデバイス用SiCウエハに対する低欠陥加工技術の開発
  SiCウエハ表面の機械加工ダメージ層を、短時間で容易に除去できる化学的加工技術の開発
2014-4 La系ペロブスカイト酸化物多孔質球状粒子の開発
  電極材料などで必要とされる高度多孔質構造を達成する多孔質球状粒子を合成するプロセスを開発した
2014-5 レーザー加熱法によるサーメットの熱衝撃試験と解
  耐熱衝撃性が高いサーメット材料の熱衝撃特性に関する評価手法を開発し、破壊メカニズムを解析した
2014-6 エアロゾルデポジション法によるアルミナ膜の集合組織形成
  エアロゾルデポジション法により、基板面に対し底面配向したアルミナ膜の形成が可能
2014-7 高温ガス透過法に基づくセラミックス中の物質移動評価解析技術
  高温のガス分圧勾配下に曝された酸化物膜中の物質移動機構を評価・解析した


2013年度 研究成果 2013年度の一覧に戻る

2013-1 リチウムイオン伝導性酸化物の短時間・低温合成技術
  安価な原料を用いた低温・短時間のセラミックスプロセスによるリチウムイオン伝導体の新製法
2013-2 次世代パワーデバイス材料4H-SiCカーボン面転位検出技術の開発
  高温KOH蒸気を用い、約1000℃で4H-SiCのカーボン面から転位を検出・分類する手法を開発
2013-3 SiC結晶切断時の導入ダメージの評価と切断法による比較
  放電加工法と遊離砥粒ワイヤーソー法による切断で導入されるSiC結晶欠陥の特徴を比較
2013-4 大角度収束電子線回折法を併用したSiC欠陥の定量解析
  低転位密度のSiC単結晶中に形成された様々な欠陥構造を精密に解析する技術を開発
2013-5 遷移金属炭窒化物 (Me(C,N)) 微粒粉末の炭素熱還元合成
  既存の遷移金属炭窒化物粉末に比べ粒子径が小さくその分布が小さな粉末合成技術を確立
2013-6 基材上に成膜されたコーティング膜の熱伝導率評価
  基板上のコーティング膜の熱伝導率を、基板と一体で評価。基板-膜間の界面熱抵抗も評価可能
2013-7 超硬合金の粒成長ピン止め効果シミュレーションと実験研究
  シミュレーションによるピン止め効果の確認と、第2相粒子添加による微粒超硬合金の作成とその組織観察


2012年度 研究成果 2012年度の一覧に戻る

2012-1 SiCウエハの高品質機械研磨法の開発
  化学機械研磨を必要としない低コストで研磨による転位の発生を削減した研磨技術の開発
2012-2 4H-SiCウエハ結晶内転位の解析
  リークパスとなる螺旋転位の結晶内での微視 - 巨視的な伸展形態の明確化
2012-3 機械研磨により導入された4H-SiC表面転位のEBIC観察
  電子線誘起電流法(EBIC)を用い、機械研磨により導入されたSiC表面転位の研磨方向依存性の検討
2012-4 大角度収束電子線回折法を用いたSiC単結晶中の転位解析
  電子線誘起電流法(EBIC)を用い、機械研磨により導入されたSiC表面転位の研磨方向依存性の検討


2011年度 研究成果 2011年度の一覧に戻る

2011-1 高離型性を有する樹脂封止用型部材の開発
  Y2O3多結晶体内にNとZrをコドープすることによりエポキシ樹脂に対する離型性を向上
2011-2 予備酸化による金属表面の高機能化
  酸素分圧を制御した環境下において金属を予備酸化し、金属表面に優れた耐食性や生体活性能を発現
2011-3 SiCウエハの高品質機械研磨法の開発
  化学機械研磨を必要としない低コストで研磨による転位の発生を削減した研磨技術の開発
2011-4 多孔質球状シリカ微粒子を用いた超撥水性コーティング剤の開発
  多孔質球状シリカ微粒子と撥水性高分子の複合材料からなる超撥水性膜を、塗布により形成する


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