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発明名称 |
登録日 |
登録番号 |
| 1 |
カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法 |
2001.4.27 |
3183845 |
| 海外登録 |
米 6303094
独 6980298.8
英・仏 947466 |
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【課題】カーボンナノチューブの新たな製造方法、及びよく配向した多数本のカーボンナノチューブからなる膜の製造方法
【解決手段】真空下においてSiCが分解する温度に加熱して、SiCから珪素原子を除去してカーボンナノチューブを得る。出発材をSiC単結晶として、真空中加熱により表面から炭素原子を除去し、出発材の表面側の一部厚さに表面に垂直方向に配向した多数本のカーボンナノチューブから成る膜を形成する。 |
| 2 |
差分画像処理を用いた放射線透視法 |
2004.4.16 |
3545073 |
【課題】乳剤フィルム法と同等以上の欠陥検出性能を有する電子撮影法を提供する
【解決手段】検査物体を透過した放射線像を検出して得た画像信号を時間積分処理して得た積分像から、検査物体及び/又は検出器を移動させて得た画像信号を逐次差分するか又は時間積分処理して得た積分像を差分することにより、欠陥像を検出する。 |
| 3 |
カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有炭化珪素基板及びカーボンナノチューブ膜体並びにそれらの製造方法 |
2006.8.4 |
3836743 |
【課題】炭化珪素結晶のC面のみならずSi面からも高配向のカーボンナノチューブ膜を生成する
【解決方法】炭化珪素を真空中で高温処理して炭化珪素表面に配向したカーボンナノチューブ膜を生成する方法において、炭化珪素の表面を化学処理して表面の酸化膜を除去した後に該炭化珪素を高温処理して、炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱する。 |
| 4 |
カーボンナノチューブの製造方法 |
2006.9.1 |
3848584 |
【課題】チューブ径の揃ったジグザグ構造を示すカーボンナノチューブを製造する
【解決手段】SiCを真空中で高温加熱処理して、SiCから珪素原子を除去してカーボンナノチューブを製造する方法で、加熱の昇温速度を毎分50℃以下とする。また、常温付近から1400℃以上に加熱する段階で、1100〜1300℃まで昇温する段階の昇温速度が毎分50℃以下とすることもできる。 |
| 5 |
カーボンナノチューブ膜の製造方法 |
2006.12.8 |
3889889 |
【課題】自立しており、大面積で多様な表面形状を有するカーボンナノチューブ膜の安価な製造方法
【解決手段】シリコン基板上に炭化ケイ素単結晶薄膜を成長し、次いで腐食液により炭化ケイ素単結晶薄膜をシリコン基板から分離し、さらに分離した炭化ケイ素単結晶薄膜を微量酸素を含む真空中において高温加熱処理してカーボンナノチューブ膜に変換する。 |
| 6 |
可撓性セラミックス及びその製造方法 |
2006.12.22 |
3894975 |
【課題】耐衝撃性の向上と接触部熱応力の緩和に対して有効な可撓性セラミックス及びその製造方法
【解決手段】酸化アルミニウム添加炭化ケイ素焼結体の粒界層の一部または全部を溶解除去し、結晶粒子間に隙間を形成させることにより、撓み量と負荷荷重の関係が非線形性を有するセラミックスを作製する。 |
| 7 |
カーボンナノチューブ配線板及びその製造方法 |
2007.1.26 |
3908104 |
【課題】所定の方向に高配向するカーボンナノチューブが、所定のパタンに形成された配線板を提供する
【解決方法】基板に配設されたカーボンナノチューブからなる配線パタンを形成するため、炭化珪素の表面にカーボンナノチューブの生成を抑制する酸化珪素、窒化ケイ素などの抑制膜を形成する工程と、該抑制膜をパタン状にエッチングする工程と、エッチング後の炭化珪素を真空中で高温加熱処理する工程を順次備える。 |
| 8 |
高温安定遷移形アルミナ及びその製造方法 |
2007.11.9 |
4036499 |
【課題】1300℃を越える高温においてもαアルミナへの変態を生じることのない高温安定なアルミナ、及びその製造方法を提供する
【解決手段】Al2O3と1wt%程度以下のMgOを含むαアルミナのブロックの上に、金属アルミニウムのブロックを置き、このαアルミナと金属アルミニウムの境界近傍に燃焼ガスの炎をあてて強熱する。この方法によって得られる遷移形アルミナは実質的に単結晶形であり、1300℃を越える温度でもδアルミナ、θアルミナ等、遷移形の結晶形を完全に保つ。 |
| 9 |
量子井戸構造を有するSi系半導体デバイスおよびその製造方法 |
2009.1.16 |
4246424 |
【課題】Si系半導体を用いて量子井戸構造を形成できる技術を提供する
【解決手段】Si系半導体基板を準備し、酸素イオン注入と、Si系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。その後、熱処理を行うことによって、SiO2を障壁層とし、Si系半導体層を井戸層とする量子井戸構造を形成する。 |
| 10 |
耐熱性アモルファス多孔質材料及びその製造方法ならびに触媒坦体 |
2009.3.6 |
4270834 |
【課題】900〜1400℃で優れた耐熱性を有するアモルファス多孔質材料及びその製造方法並びにそれを用いた触媒担体を提供する
【解決方法】本アモルファス多孔質材料は、孔径が2〜50nmである細孔を有し、900〜1400℃において多孔質構造を維持できることを特徴とする。孔径が2〜50nmである細孔の容積の合計は、全細孔の容積の合計に対して60%以上である。細孔容積が0.02〜0.2mL/gであり、かつ比表面積が20〜100m2/gである。Si、CおよびNを主成分として合成される。本製造方法は、メチルトリクロロシラン、ジアルキルジクロロシラン及びビストリアルキルシリルカルボジイミドを、有機塩基の存在下に重合してポリシリルカルボイミドとする重合工程と、これを焼成する工程と、を備える。 |
| 11 |
微小体積素を用いた物体の磁場特性分布の算出 |
2009.8.21 |
4362289 |
【課題】任意の形容または任意の磁区構造を有する物体に関する磁場特性分布を、計算によって求める
【解決方法】計算対象とする物体を微小体積素に区分した物体モデルを準備する。また微小体積素の単位磁場特性分布を準備する。そして、物体モデルを構成する複数の微小体積素の単位磁場特性分布を加算し、その加算に基づいて物体の磁場特性分布を求める。 |
| 12 |
カーボンナノチューブ配線板及びその製造方法 |
2009.12.25 |
4431564 |
【課題】所定の方向に高配向するカーボンナノチューブによって所定のパターンに形成されたカーボンナノチューブ配線板及びその製造方法を提供する
【解決方法】炭化珪素基板の表面にカーボンナノチューブの生成を抑制する抑制膜（酸化珪素膜等）を形成する工程と、該抑制膜を所定のパターンにエッチングする工程と、エッチング後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において、該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱する工程と、を順次備え、上記パターンに従ってカーボンナノチューブからなる配線パターンが形成された配線板を製造するものである |
| 13 |
カーボンナノチューブを用いたガス分離材及びその製造方法 |
2010.2.5 |
4450602 |
【課題】カーボンナノチューブを用い、非酸素系のガス分離に好適なガス分離材及びその製造方法を提供する
【解決方法】ガス分離材は、カーボン等からなる多孔質基材の表面に、グラファイトを含む中間層及びカーボンナノチューブ層を、順次備える。また、少なくともカーボンナノチューブ層の外周側面を被覆する被覆層を備えることが好ましい。 |
| 14 |
多孔質複合材料の製造方法 |
2010.2.5 |
4450928 |
【課題】多孔質材料の深部の空隙及び／又は孔部内にもセラミックスが付与されている、多孔質複合材料の製造方法
【解決方法】多孔質材料を介して多孔質材料の一方側と他方側とが区画された状態で、気体原料を一方側から他方側へ強制的に通過させて、前記空隙及び／又は孔部の内部に気体原料を供給する。この方法によると、気体原料が、多孔質材料の空隙及び／又は孔部に滞留されるのが抑制され、さらに初期から残留しているガスを孔内から排出することができるため、多孔質材料の深部の空隙及び／又は孔部の内部にもセラミックスが生成される。 |
| 15 |
ケイ素気質耐水蒸気膜及びこれを用いた水素ガス分離材並びにこれらの製造方法 |
2009.10.2 |
4383217 |
【課題】高温水蒸気下で耐水蒸気性を発揮できるケイ素基質膜、これを用いた水素ガス分離材及びこれらの製造方法
【解決方法】本耐水蒸気膜は、R（希土類元素）、Si及びＯを含み、且つ、Si-O結合を有する。この膜は、一酸化炭素ガスの透過を抑制でき、更に、水素分離膜として用いることができる。本耐水蒸気膜製造方法は、Rを含む化合物とアルコキシシラン化合物とを含有する溶液を塗布して塗膜とし、この塗膜を熱処理する工程を備える。この熱処理後、更に、水蒸気を含む雰囲気下で膜を熱処理できる。本水素ガス分離材は、多孔質基部と、多孔質基部の一面側に配置された本耐水蒸気膜とを備え、製造方法は、多孔質基材の表面又は多孔質機材の表面に積層された他層の表面に、Rを含む化合物とアルコキシシラン化合物とを含有する溶液を塗布して塗膜とし、この塗膜を熱処理する工程を備える。 |
