7.特殊評価試験

　ガス分離特性、SiC結晶欠陥分析があります。ガス分離特性は液体、気体透過に関わる貫通孔の機能を特徴づけるネック部の細孔径分布を間接的に評価します。Etching法はSiCウェハ全面の転位を検出・分類します。全てのp型－n^＋＋型(n>10¹⁹cm^-3) SiC基板・エピ膜に適用可能です。その他、EBIC法、PL法、Raman分光法及びFIB-TEM法を用いたSiC結晶欠陥分析もご要望に応じ承っております。GaN等他のワイドバンドギャップ半導体についてもお気軽にご相談下さい。

種別	項目	単位	単価（円）
SiC結晶欠陥分析	EtchPit法によるエッチング（転位の種類・分布・密度を同時測定）・手法：KOH or KOH+Na₂O₂(KN)エッチング・p-n⁺⁺ SiC に適用可能・SiCの結晶系によらず適用可能・0-8°オフで適用可能
	ウエハサイズ　１inchφ以下　基本料金（条件出し）	１枚	50,000 ※1
	ウエハサイズ　１inchφ以下	１枚（1～3枚目）	7,500 ※2
	ウエハサイズ　１inchφ-３inchφ　基本料金（条件出し）	１枚	65,000 ※1
	ウエハサイズ　１inchφ-３inchφ	１枚（1～3枚目）	12,500 ※2
	ウエハサイズ　４inchφ　基本料金（条件出し）	１枚	95,000 ※1
	ウエハサイズ　４inchφ	１枚（1～3枚目）	22,500 ※2
	ウエハサイズ　６inchφ　基本料金（条件出し）	１枚	185,000 ※1
	ウエハサイズ　６inchφ	１枚（1～3枚目）	45,000 ※2
	ウエハサイズ　0.3 inchφ以下	--	別途相談
	解析	--	別途相談
	（000T）Ｃ面のエッチング	--	別途相談

※1　ウエハに合わせて条件設定するため同等品のダミー１枚必要
　　（ダミー確認時のレーザー顕微鏡写真は添付。各ウエハの写真は別料金）

※2　１枚目の設定条件に従う場合
　　（１枚毎に条件設定が必要な場合は２枚目以降の割引はなし）

※　１回の発注は３枚以内

※　KOH+Na₂O₂(KN)エッチング：基本料金×2（条件出し＋1枚目）＋割引料金（2～3枚目）

※　その他パワーデバイス材料 ( GaN, AlN, β-Ga₂O₃ ) も承っておりますので、ご相談願います。

※　本試験の立合いは行っておりません。

種別	項目	単位	単価（円）
ガス分離特性	ガス透過率測定（液体、気体透過に関わる貫通孔の機能性を特徴づけるネック部の細孔分布を間接的に評価）
	試料調製	--	別途相談
	N₂ガス（標準）、温度測定（室温～150℃）	1試料	80,000
	その他ガス（同一条件1ガス測定毎）	1試料	18,000
	高温測定（150℃以上）	1試料	別途相談
	解析	1測定	別途相談
	ガス等	--	別途相談
	ガス透過率測定②（JISR1761準拠）	--	別途相談

種別	項目	単位	単価（円）
オートクレーブ試験	水熱処理　100℃～300℃	基本料金	28,000
オートクレーブ試験	水熱処理　100℃～300℃	１時間につき	6,000