R-13
2017

4H-SiCにおけるらせん転位と混合転位の観察

4H-SiCにおけるらせん転位と混合転位を放射光Ｘ線トポグラフィ及びエッチピット法で識別

貫通転位はSiCパワー素子不良の要因とされているが、転位種類（刃状、らせん、混合）と素子へ及ぼす悪影響の関連はまだよくわかっていない。転位種類を正確かつ簡易に識別する技術が強く求められている

（1）等価な11-28面回折によるＸ線トポグラフィでらせんと混合転位を識別
（2）エッチピット法でらせんと混合転位を識別する可能性を検討

(1)	6つの等価な回折面によるＸ線トポグラフィでらせんと混合転位を識別し、c+a混合転位における刃状a成分の方向を正確に判別可能
(2)	NaOH蒸気で形成した転位エッチピットの形状を、同一場所のＸ線トポグラフィ結果と比較し、化学エッチングのみでらせんと混合転位を識別する可能性を示唆