R-10
2018

次世代パワー半導体材料
酸化ガリウムβ-Ga₂O₃単結晶の評価

Ga₂O₃結晶成長条件の最適化及びGa₂O₃パワー素子の故障解析には、単結晶基板やエピタキシャル層に内在する結晶欠陥の評価技術が必要不可欠である
⇒対称性の低い単斜晶であるため、欠陥が多種多様で分類困難
⇒低コストで簡易に欠陥を検出・分類するエッチピット法が無い

・放射光X線トポグラフィによる正確かつ非破壊の転位検出・分類方法の確立
・Ga₂O₃エッチピット欠陥検出・分類法の確立
　⇒ Ga₂O₃における多様な転位、積層欠陥を検出・分類

(1)	放射光X線トポグラフィにおいて、複数の回折条件で、バーガースベクトルが[010]bの貫通転位およびa、b、c成分を全て有する混合転位を検出した
(2)	溶融アルカリ腐食液を用いたエッチングで、広い面積（10mm□）の欠陥をエッチピットとして検出し、ピットの大きさや形状で分類することに成功した