JFCC保有特許をご活用ください
JFCCが保有する登録特許(2021/11/15現在)
発明名称 | 登録番号 | |
1 | カーボンナノチューブを用いたガス分離材及びその製造方法 | 4450602 |
2 | 耐水蒸気性多孔質膜、耐水蒸気性多孔質複合体及びこれらの製造方法 | 5430089 |
3 | 炭化珪素単結晶の欠陥検出方法 | 5519305 |
4 | ガスセンサ及びその利用 | 5679436 |
5 | 試料の作製方法およびダメージ層除去装置 | 5939882 |
6 | 熱反射材 | 6032539 |
7 | リチウムイオン伝導性酸化物の製造方法 | 6200169 |
8 | 炭窒化物分散焼結体及びその製造方法 | 6216165 |
9 | 半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハの製造方法および半導体ウェハの結晶欠陥検出方法 | 6329733 |
10 | 結晶配向セラミックス積層材料及びその製造方法 | 6331083 |
11 | 窒化物系半導体基板のエッチング方法および窒化物系半導体膜の作成方法 | 6461593 |
12 | 窒化物系半導体のエッチング方法および窒化物系半導体の結晶欠陥検出方法 | 6574104 |
13 | 膜形成方法 | 6640456 |
14 | 積層構造 | 6649115 |
15 | 膜形成方法 | 6717663 |
16 | 積層構造 | 6735164 |
17 | セラミックス成形体の製造方法及びそれに用いる製造装置 | 6754305 |
18 | 多孔質アルミナ粒子材料の製造方法 | 6803176 |
19 | セラミックス成形体の製造方法 | 6835578 |
20 | 窒化物系半導体の非極性面のエッチング方法および窒化物系半導体の非極性面における結晶欠陥の検出方法 | 6890979 |
21 | 焼結方法及び焼結物の製造方法 | 6956489 |
22 | 炭素繊維の熱処理方法 | 6959721 |
23 | 焼結方法及び焼結物の製造方法 | 6959790 |
24 | 多孔質アルミナ焼結体及びその製造方法 | 6961428 |
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