2011-8

パワーデバイス・青色LED開発を支援するSiCの欠陥分析技術

SiCウエハの欠陥の多面的評価を通じてパワーデバイス・青色LEDの開発に貢献

EBIC法

特願2010-189627

Etch pit法

特願2010-13376

欠陥の種類・三次元分布の測定
? エピ・基板界面の転位挙動
? 積層欠陥の電子に対する挙動
? 転位の電子に対する挙動

転位の種類・分布・密度を同時測定
? p-n⁺⁺ SiC　に適用可能
? SiCの結晶系によらず適用可能
? 0-8°オフで適用可能

PL法

積層欠陥・多形・転位・歪みの検出
? 深さ方向分布
? 表面敏感

Raman分光法

積層欠陥・多形・ひずみの検出
? マッピング
? 温度変化その場観察
? 非破壊

FIB-TEM法

転位の構造決定
? 狙った転位の観察
? バーガースベクトルの決定
? 転位の進展方向の観察

　
○ SiCパワーデバイスおよびGaN-LED開発
　・SiCウエハ開発
　・エピタキシャル技術開発
　・ウエハの機械加工開発
　・SiCウエハ品質保証