1研究成果／革新環境材料

R-9

2021

レーザー昇華堆積法によるSiC成膜技術の開発

アピールポイント

安価な原料を用いた結晶性SiCコーティングの高速作製技術
【技術シーズ：高速レーザー昇華堆積法】

課題

炭化ケイ素（SiC）は優れた熱的化学的安定性を有し、耐環境コーティングとしての利用に期待

・従来のMOCVDプロセスは、原料コスト（～千円/ml）や成膜速度（～100nm/min）が課題

解決手段

・レーザーを用いて安価なSiとCの混合粉からSiCを生成

・生成したSiCを昇華させて基材上に堆積

成果・新規性

・SiとCの混合粉にレーザーを照射して、SiCを昇華（昇華速度：2×10^-6 g/s）

・基材上への結晶性SiCコーティングの高速成膜に成功（～30 μm/min）

・実験方法：レーザー昇華堆積法

期待される市場・応用

・硬質セラミックスコーティング、耐環境性コーティング

・硬質部材、電子デバイス等

発表文献

Suehiro et al. J. Ceram. Soc. Jpn., 129, 310-314, 2021.
Suehiro et al. J. Ceram. Soc. Jpn., 127, 504-506, 2019.