2021年度

JFCC研究成果集

脱炭素イノベーションをめざした革新材料開発/解析技術

8試験評価技術 / 微構造

T-34

2021

SDGs

エッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術

SDGs

技術のポイント

ウェハ中の結晶欠陥情報を安価かつ多面的評価が可能パワーデバイスの信頼性向上に有用な情報を提供

保有技術

<エッチピット法>
溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法
特許第5519305号

<メリット>
SiC単結晶およびデバイスの結晶欠陥位置、種類、密度を正確に判別可能
従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して、簡便かつ安価に評価可能

<適用可能なSiC単結晶>
p型-n++型SiC基板・エピ膜のSi面に適用可能
6インチまで適用可能
C面およびGaN、AlN、Ga2O3、ダイヤモンドについても対応可能(別途相談)

活用/成果例

エッチピット法による実施例
(a)エッチング後のレーザー顕微鏡写真
(b)ピット形状と転位の対応

解析
・転位種毎の密度算出
・サイズからの転位の判別(統計処理)

Y. Yao et al., Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.

適用分野

・SiCデバイスの開発:SiCウエハ、エピタキシャル膜品質評価、ウエハの品質保証、デバイス不良解析等