2021年度

JFCC研究成果集

脱炭素イノベーションをめざした革新材料開発/解析技術

8試験評価技術 / 微構造

T-35

2021

SDGs

EBICを用いたパワーデバイス欠陥解析

SDGs

技術のポイント

電子線誘起電流(EBIC)法で、パワー半導体基板・エピ層双方の欠陥の検出、分類および3D情報の取得が可能

保有技術

欠陥でのキャリア再結合によるEBIC電流の減少を利用し、
欠陥を検出・分類する。

<欠陥検出・分類方法>
測定方法:EBIC法(電子線誘起電流法)
装 置:HITACHI SU8000 SEM/EBIC
観察条件:加速電圧5~25 kV、室温
サンプル:単結晶基板/エピ層/電極

※裏:オーミック接合、表:ショットキー接合
 サイズ:最大12x12 mm2

活用/成果例

※SiC単結晶 基板/エピ層 の観察例
特許第5558268号
Y. Yao et al., J. Appl. Phys. 109 (2011) 123524
加速電圧20 kVで観察したSiCのEBIC像

適用分野

・パワー半導体基板・エピ層における結晶欠陥の評価
・パワー半導体結晶欠陥箇所のキャリア再結合特性の評価