2024年度

JFCC研究成果集

グリーンイノベーションを推進する次世代マテリアル開発と解析技術

5試験評価技術 / 構造・機能評価

T-28

2024

SDGs

エッチピット法によるSiC結晶の​欠陥解析評価技術​

SDGs

技術のポイント

大口径ウエハ中の結晶欠陥情報を安価かつ多面的評価が可能​
パワーデバイスの信頼性向上に有用な情報を提供​

保有技術/装置

<エッチピット法>
溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法
特許第5519305号

<特長>
SiC単結晶およびデバイスの結晶欠陥位置、種類、密度を​正確に判別可能​
従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較​して、簡便かつ安価に評価可能

<適用可能なSiC単結晶>
p型-n++型SiC基板・エピ膜のSi面に適用可能
直径8インチまで適用可能
SiCのC面およびGaN、AlN、Ga2O3、ダイヤモンドについても対応可能

エッチング装置​
(直径8インチ対応)

活用/成果例

エッチピット法による実施例(a)エッチング後のレーザー顕微鏡写真(b)ピット形状と転位の対応
Y. Yao et. al, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.
解析
・転位種毎の密度算出
・サイズからの転位の判別(統計処理)

Y. Ishikawa et. al, Mat. Sci.
Forum. Vols. 717-720 (2011).

適用分野

・SiCデバイスの開発:SiCウエハ、エピタキシャル膜品質評価、​ウエハの品質保証、デバイス不良解析等​