電子線後方散乱回折（EBSD）法：

試料に照射された電子が試料内で拡散し、回折され反射電子として試料から放出される。その際に生じる反射電子回折パターンを用いて局所領域の結晶方位や結晶構造を解析する。

EBSD-KAM歪み解析手法：

EBSD方位解析にて各点の結晶方位を算出後、その値を用いて、1つの測定点とそれを取り囲む周囲の測定点との方位差を平均化し、中央の測定点の値とする。

HR-EBSD歪み解析手法（※HR：High angular resolution）：

ある測定点のEBSDパターンを基準にそれ以外の測定点との比較を行い、結晶粒内の歪みを解析する。