3研究成果／脱炭素

R-11

2026

β-Ga₂O₃のすべり面解析

アピールポイント

結晶面の結合強度を結晶化学的に解析
【技術シーズ：結晶欠陥構造と性質の解析】

背景・課題

・半導体デバイスの性能と信頼性には、欠陥制御が必須

・β-Ga₂O₃は従来の半導体結晶と全く結晶構造が違うため、転位・積層欠陥を基礎づける「すべり系」は未解明

・厳密な理論的による導出が困難なすべり系の直感的理解を目指す。

解決手段

・結晶構造から原子結合の異方性に着目

・結晶構造が成り立つ経験的一般原理（ポーリングの法則）に基づく原子間結合強度の異方性を評価

成果・優位性

①歪んだGa-Oの多面体の原子間距離から、ポーリングの法則により、結合電荷に基づく化学結合強度の面異方性を評価。

②すべり面として活動することが観察されている (001) 面は、結合力の最も弱い面である。

期待される市場・応用

・パワーエレクトロニクス、結晶欠陥解析

謝　辞：本研究は、NEDOの委託業務（JPNP22007）の支援を受けて実施されたものである。

担当者：山口博隆、勝部大樹、石川由加里

共同研究者：（三重大学）姚永昭