2012-2

4H-SiCウエハ結晶内転位の解析

リークパスとなる螺旋転位の結晶内での微視 - 巨視的な伸展形態の明確化

4H-SiC結晶は、パワーデバイス用ウエハ材料として利用の拡大が始まっているが、転位密度が高いため、歩留まりが低く、素子性能が短くなるなど結晶品質の向上が求められている。

4H-SiCウエハの転位密度削減の指針を得るために、螺旋転位の結晶内での微視‐巨視領域での伸展形態を明らかにし、結晶成長中の転位伸展メカニズムを推定する。

(1)	螺旋転位は微視的にはc軸に対する傾きを変化させながら伸展している。
(2)	巨視的には～20μmの揺らぎ内でc軸に平行に伸展している。
(3)	転位の進展方向変化は結晶成長の揺らぎを反映と推定される。



図. 螺旋転位位置の深さに依存性と導き出された螺旋転位の進展形態

各種転位の結晶内での伸展形態を明らかにし、
結晶成長中の転位伸展メカニズムを推定

転位密度低減指針

参考文献	：	Y. Ishikawa et al., Mater. Sci. Forum 717-720(2012)367.
謝辞	：	本研究は、トヨタ自動車（株）からの委託研究により実施したものである。