2015年度

JFCC研究成果集

次世代を支える新材料開発と先端解析技術

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2015-1

後方散乱電子回折法による結晶方位解析技術


技術のポイント

後方散乱電子回折(EBSD)法により、結晶粒一つ一つの方位や粒径分布、隣り合う結晶粒のずれ角等の解析が可能



保有技術・設備
・電解放出形走査型電子顕微鏡 JSM-6330F
・電子線回折結晶方位解析装置 OIM検出器

後方散乱電子回折(EBSD)法: 試料に照射された電子が試料内で拡散し、拡散した電子は回折され反射電子として試料から放出される。その際に生じる反射電子回折パターンを用いて局所領域の結晶方位や結晶構造を解析する手法

〜EBSD測定により得られたデータを解析して得られる情報〜
Image Quality像 パターンの善し悪しにより結晶の歪等に対応した情報を表示
方位マッピング像 方位を逆極点図を利用した色配置で表示
結晶粒像 任意の粒界傾角で定義した結晶粒を表示
結晶粒界構造像 傾角、対応粒界等による結晶粒界を表示
相分布像 結晶系による相の違いを表示
極点図、逆極点図 測定した方位から極点図/逆極点図にプロット
方位分散関数 ODF
方位差分散関数 MDF
結晶粒径分布等各種データの数値およびグラフ表示
EBSD法の一般的な精度
空間分解能 (μm) 0.03
測定深さ (μm) 0.05
方位精度 (°) 0.5


測定事例
JFCCジルコニアリファセラム(ZR1) 結晶粒形状および結晶方位解析



適用分野

・微小領域での結晶系解析
・結晶方位分布解析
・結晶粒径分布解析  等



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