R-11
2017

GaN単結晶基板の転位評価

エッチピット法、CLマッピング、PLイメージング、およびTEMを用い、GaN単結晶基板の転位を多面的に評価

GaNの結晶成長や素子不良解析において、転位を全て検出・分類する技術が求められている。転位構造と電気特性・発光特性の相関解明が重要な課題である

（1） GaN転位をCL、PL、エッチピット法で検出し、各手法の適用範囲を検証
（2） TEMを用い、転位の電気的特性・発光特性と転位構造の関連を調査

(1)	同一場所のPL、CL、エッチピット像を比較し、CLで検出できない転位を確認
(2)	CL検出の可否は転位のバーガースベクトルではなく、転位線方向に依存することを確認
(3)	GaN転位線方向が電気特性に影響を及ぼすことを明確化

実験方法：	① PLイメージング（波長313nm UV励起）	② CLマッピング（5kV、1nA）
	③ 化学エッチング（KOH＋Na₂O₂@510℃）	④ TEM（200kV、weak-beam法）