R-38
2017

レーザーを用いた多結晶SiC製造プロセスの開発

Si＋C混合粉へのレーザー照射によって、高密度・高結晶性の多結晶SiCが短時間で生成

炭化ケイ素（SiC）は優れた熱的／化学的安定性を有する材料であるが、難焼結性であり、Si融液含浸による反応焼結で部材が製造されるが遊離Siを低減することが課題である

SiCの新たな製造法として、Si+Cの混合粉へのレーザー照射による製造プロセスを開発する

(1)	SiC+Si+C圧粉成形体にNd:YAGレーザーを短時間照射すると高結晶性の粒子径0.5-2μmのβ-SiCが生成
(2)	レーザー照射によって生成したSiC層は、未反応のSiやCは残存せず、緻密膜を形成

レーザーを用いた３D積層造形への展開

レーザー照射後の試料の表面SEM像

SiC部材製造、SiCコーティング

謝辞

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本研究は、総合科学技術・イノベーション会議の戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）
「革新的設計生産技術」(管理法人:NEDO)によって実施したものである