T-31
2017

エッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術

エッチピット法により、SiCウエハ欠陥を簡便かつ安価で多面的に評価・解析が可能

＜エッチピット法＞
　溶融KOH+Na₂O₂を用いたエッチングによる欠陥検出法
　特許第5519305号　
　SiCウエハの結晶欠陥位置、種類、密度が正確に判別可能

＜メリット＞
　従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して,簡便かつ安価で評価可能

＜適用可能なSiCウエハ＞
　p型-n⁺⁺型SiC基板･エピ膜のSi面に適用可能
　4インチまで適用可能
　4インチ以上、C面およびその他ワイドバンドギャップ半導体結晶材料については、別途相談

解析
・転位種毎の密度　　
　算出
・サイズからの転位
　の判別（統計処理）

エッチピット法による実施例
(a) エッチング後のレーザー顕微鏡写真　　(b) ピット形状と転位の対応

Y. Yao et. al, Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.

・ SiCデバイスの開発： SiCウエハ、エピタキシャル膜品質の評価、ウエハの品質保証、デバイスの不良解析