R-9
2018

放射光X線トポグラフィによる
GaN単結晶基板貫通転位の検出と分類

GaN結晶成長条件最適化や素子不良解析に必要な転位分類技術が未確立
⇒転位の種類が多種多様で分類困難
⇒広い面積にわたる非破壊での転位検出・分類が困難

放射光X線トポグラフィによる正確かつ非破壊の転位検出・分類方法の確立
⇒GaNの刃状、らせん、及び混合転位を正確に分類可能

(1)	等価な6方向g=11-26非対称回折およびg=0008対称回折を用い、刃状、らせんおよび混合転位のバーガースベクトルの方向と大きさを正確に同定した
(2)	上記手法を市販GaN基板に適用し、広い面積（数mm□）全ての貫通転位を非破壊で検出・分類することに成功した