R-11
2018

放射光X線トポグラフィおよびエッチピット法による
AlN単結晶の評価

AlNはパワー素子や深紫外LEDの究極な半導体材料として期待されるが、結晶成長条件最適化や素子不良解析に必要な単結晶評価技術が無い
⇒結晶欠陥、特に転位を広い面積にわたり非破壊で評価することが困難
⇒貫通転位を正しく分類できるエッチピット法が未確立

・放射光X線トポグラフィによる正確かつ非破壊の転位検出・分類方法の確立
・溶融アルカリ性腐食液を用い、AlNにおける転位を検出できるエッチピット法の確立
・透過型電子顕微鏡を用い、エッチピット法による転位分類の精度を検証

(1)	等価な6方向g=11-26非対称回折およびg=0006対称回折を用いたX線トポグラフィ観察により、転位のバーガースベクトルの方向と大きさを評価した
(2)	強酸化剤Na₂O₂を添加した溶融KOHでAlN単結晶をエッチングし、貫通転位の検出と分類に成功した