R-12
2018

4H-SiC(1120)エピタキシャル膜中の
基底面転位の拡張挙動の観察

・	4H-SiCデバイス中の基底面転位は電子・正孔の再結合により拡張して積層欠陥を形成する。順方向電圧劣化の原因であるため、その無害化・削減は重要な課題である
・	基底面転位の無害化・削減には拡張メカニズムの解明が必須である

・	従来とは異なる非極性面側から基底面転位を励起し、その拡張挙動を把握・解析することで拡張メカニズムを解明する
・	得られた知見をデバイス設計へフィードバックする

(1)	(1120)A面における転位の拡張挙動をCLで初めてその場観察した
(2)	積層欠陥よりSi-core部分転位を励起した方が拡張が速いことを見出した