2018年度

JFCC研究成果集

未来社会を創出する革新材料開発と先端解析技術

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R-15
2018

電子線ホログラフィーによるGaN
ナノワイヤーのドーパント分布観察




課題
GaNナノワイヤー中のドーパント分布を可視化するのは難しい
⇒SIMS(二次イオン質量分析法)では、直径数μm以下の領域は困難

解決手段
位相シフト電子線ホログラフィーでの観察手法の確立
⇒ドーパント濃度分布による位相変化の可視化が可能

成果・優位性
(1) GaNナノワイヤー中のドーパント濃度分布の可視化に成功
(2) GaNナノワイヤーの薄膜加工技術の確立


実験方法 Si基板上のGaNナノワイヤーをFIB(集束イオンビーム加工装置)で薄膜加工
300kV 透過電子顕微鏡(HF-3300EH)でHologramを撮影し、位相シフト法で再生

(a)GaNナノワイヤーの鳥瞰SEM像
(b)TEM像
(c)ホログラム
(d)位相シフト法で再生した位相像




期待される市場・応用
GaNナノワイヤーを用いた次世代パワーデバイス、光デバイスの開発・解析
応用例:マイクロLED、LD、センサーなどの材料

謝辞 本研究の一部は、科学技術振興機構(JST)愛知地域スーパークラスタープログラムにて実施したものである


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