T-35
2018

透過型電子顕微鏡を用いた機能性デバイスのオペランド計測技術

透過型電子顕微鏡内で、機能性デバイス（半導体，電池）を動作させながら、その場観察（オペランド計測）する特殊な技術

FIBを用いて、機能性デバイスへの電圧印加を可能にする特殊な
TEM試料を作製。TEM内で動作させながらオペランド計測が可能

半導体デバイスへの応用

GaAs p-n接合に電圧を印加し、ホログラフィーで電位の変化を観察

Anada et al., J. Appl. Phys., 122 (2017) 225702.

全固体Liイオン電池への応用

K. Yamamoto et al., Microscopy, 66 (2017) 50-61.

全固体Liイオン電池を充放電させ、EELSでLi分布を、ホログラフィーで電位分布をオペランド計測

・半導体デバイス（Si、SiC、GaAs、GaN等）の研究開発、不良解析
・全固体電池やマルチフェロイック材料等の研究開発に適用可能