R-20
2019

レーザー加熱によるSiCコーティング技術の開発

炭化ケイ素（SiC）は耐食性・耐摩耗性に優れた構造材料であり、様々な部材へのコーティング材料として期待される。SiCコーティングには化学気相析出法が用いられているが、より広範な利用のためには、プロセスの低コスト化が必要

・	SiCは常圧で融点を持たず高温（＞2400℃）で昇華するため、SiとCの混合分にレーザーを照射し、Si＋C→SiCにより生成したSiCを昇華させる。

→ 昇華したSiCを基板上に堆積させ、コーティングを得る手法を開発

・緻密なSiCコーティングの高速成膜に成功（成膜速度: ～10μm/min）
・得られたSiCコーティングは高結晶性で、基材表面に2軸配向
　→安価な高速/高結晶性SiCコーティング技術として期待

実験方法： SiとCの混合粉末にレーザーを照射し、生じたSiC蒸気を基材上に堆積

・ガラス基材などへの硬質セラミックスコーティング
・高硬度部材、電子デバイス等

謝辞

：

本研究は天田財団の助成により実施したものである。

新時代の扉を開く革新的・材料開発／解析技術