R-24
2019

ワイドバンドギャップ半導体中
転位の電子線励起下における挙動

・	パワーデバイスの順方向劣化を引き起こす基底面転位の無害化および削減は重要な課題である。
・	デバイス動作下での転位挙動と性能劣化との相関を明らかにするために電子・正孔対供給下での転位挙動の把握が必要である。

・	電子線励起によるデバイス動作モデル環境下での転位の挙動を把握する。
・	基底面転位を観察対象とし、観察実例の少ない非極性面側から、励起条件下における複数転位の挙動を観察する。

・	4H-SiCの基底面転位は電子線の間接励起でも拡張する。
・	不動とされてきたC-core部分転位も、閾値を超えた電子-正孔対の供給によって可動化することを明らかにした。