R-25
2019

超高圧電子線ホログラフィーによる
GaN中のドーパント分布観察

・	GaN中の10¹⁶～10¹⁹ atom/cm³程度のドーパント分布は、汎用電子線ホログラフィー（加速電圧：300 kV）でも観察できる。
・	将来、より低ドーパント濃度の分布観察が求められる。

・	汎用電子線ホログラフィー（加速電圧：300 kV）では、観察が困難な膜厚：700 nm以上の試料を超高圧電子線ホログラフィー（加速電圧：1000kV）で観察する。

・	超高圧電子線ホログラフィー装置（加速電圧：1000 kV）を用いてGaN中のドーパント濃度分布を観察した。
・	10¹⁵/10¹⁶atom/cm³の低ドーパント濃度分布をとらえることに成功した。

実験方法：超高圧電子線ホログラフィー

(a)試料構造の模式図 (b)Hologram (c)位相像
(d)SIMS測定の結果と位相プロファイルの比較

・GaNを使用したデバイスの開発・解析・評価
・応用例：パワーデバイスや光デバイス（LD、LED）中のドーパント分布観察

謝辞

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本研究の一部は、文部科学省先端研究基盤共用促進事業（共用プラットフォーム形成支援プログラム）として実施したものである。

新時代の扉を開く革新的・材料開発／解析技術