R-26
2019

位相シフト電子線ホログラフィーによる
GaAs半導体の高確度電位計測

半導体デバイスの電位分布をナノスケールで計測する手法として、電子線ホログラフィーが注目されてきた。しかし、半導体試料の表面に存在する電気的不活性層の影響により、正確な電位計測は困難であった。

膜厚が線形的に変化する楔型試料を作製し、位相シフト電子線ホログラフィーにより観察することで、GaAs p-n接合各層の電位を計測した。

・	GaAs p-n接合の電位を高精度かつ高確度に計測することに成功
・	ドーパント濃度10¹⁹ cm^-3のp-、n-GaAsの電位はそれぞれ12.96、14.43 Vであり、p-n接合の内蔵電位は1.48 V (理論値は1.46 V)と計測

実験方法：位相シフト電子線ホログラフィー

楔型GaAs p-n接合の(a)ホログラム、(b)再生位相像、(c)位相プロファイル、(d)断面図

高性能半導体デバイスの研究開発・不良品解析

S. Anada, et al., Microscopy 68 (2019) 159-166.

謝辞

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本研究の一部は、文部科学省先端研究基盤共用促進事業（共用プラットフォーム形成支援プログラム）として実施したものである。

新時代の扉を開く革新的・材料開発／解析技術