R-30
2016

コロイダルシリカスラリーを用いたサファイア基板の精密研磨評価

異なる面方位のサファイア基板を用いた化学機械研磨（CMP）特性の温度および荷重依存性を評価

光学的、化学的、機械的に優れたサファイアは、特殊窓材やLED用基板に用いられる。サファイア基板には原子レベルの平坦性が求められるが、化学的に安定で、硬脆材料であるサファイアの精密研磨には長時間を有する。また、基板面方位によって研磨速度が大きく異なる

c面とa面のサファイア基板を用いて、コロイダルシリカスラリーを用いたCMPを行い、CMP特性の温度および荷重依存性を評価し、研磨挙動を比較・検討する

(1)	a面の研磨速度はc面の約1/2と低いが、c面、a面ともに、研磨速度と温度との間にはアレニウスの関係が認められ、同じ研磨メカニズムであることが示唆された
(2)	c面とa面では、同じ研磨条件下において、研磨活性点の数が異なっていることが示唆された