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第35回 2024年度JFCC研究成果発表会のお知らせ

 2024年度JFCC研究成果発表会を下記の通り、名古屋、東京の2会場で開催いたします。
 今年度は、「グリーンイノベーションを推進する次世代マテリアル開発と解析技術」をテーマに、口頭発表・ポスターセッションにより、研究成果をご紹介いたします。また、特別講演として、名古屋会場では、桐蔭横浜大学 医用工学部 教授/東京大学先端科学技術研究センター・フェロー 宮坂力 氏、東京会場では、大阪公立大学 学長 辰巳砂昌弘 氏にご講演いただきます。今年も多くの皆さまのご参加をお待ちしております。

[ プログラム ]
12:00~13:00プレポスターセッション
13:00~13:05主催者挨拶
13:05~14:00特別講演
7月12日 名古屋会場
「ぺロブスカイト太陽電池の高効率化開発と生産技術の課題」
 桐蔭横浜大学 医用工学部 教授/東京大学先端科学技術研究センター・フェロー
 宮坂力 氏

7月19日 東京会場
「ガラス系イオン伝導体を用いた全固体電池の開発」
 大阪公立大学 学長
 辰巳砂昌弘 氏
14:00~14:40ショートプレゼンテーション I
 脱炭素           4件(14:00~14:25)
 プロセスインフォマティクス 2件(14:25~14:40)
14:40~14:50休憩
14:50~15:30ショートプレゼンテーション II
 次世代電池         4件(14:50~15:20)
 誘電体材料設計       1件(15:20~15:25)
 先進微構造解析       1件(15:25~15:30)
~17:00ポスターセッション 49件(名古屋会場)
          42件(東京会場)

お申込み

発表タイトル/アピールポイント(研究成果)・技術のポイント(試験評価技術)

※形式 :重点口頭発表[10分]、:ショートプレゼンテーション[5分]、ほかポスター発表(N:名古屋会場のみ)

研究成果

脱炭素

R-1Agナノ粒子プラズモンによる赤外光物性制御

半導体+金属粒子により世界最高レベルの赤外屈折率を達成【技術シーズ:成膜・熱処理プロセス/光物性評価】

R-2光学特性を考慮した遮熱システムの伝熱計算と遮熱性能実証

高放射率化による遮熱性能の飛躍的向上【技術シーズ:伝熱計算/電子ビームPVD】

R-3ナノ構造分析/計算を組合わせた多元素酸化物の結晶構造解析

多元素化酸化物の原子レベルの構造の解明に成功【技術シーズ:電子顕微鏡観察/第一原理計算/XRD解析】

R-4 アルミナ膜中の粒界を介した物質移動に及ぼす水蒸気の効果

構成イオンの粒界を介した移動量を精密定量【技術シーズ:双晶粒界と18O2を用いた高温酸素透過試験】

R-5圧痕導入によるGaNウエハ変質層厚の非破壊検査法開発

表面加工キズから転位進展深さの推定【技術シーズ:多光子励起顕微鏡による欠陥構造解析】

R-6 酸化ガリウム半導体中に形成される転位のTEMによる精密構造解析

酸化ガリウム中に応力で生じる転位の構造を一意に決定【技術シーズ:転位解析用TEM/大角度収束電子線回折法】

次世代電池

R-7オペランド透過電子顕微鏡による全固体電池のLi伝導の可視化

動作中の電池内部のLiの動きをナノスケールで可視化【技術シーズ:オペランド解析】

R-8MoS2へのLi挿入反応のその場STEM観察

Li挿入に伴う材料内部のドメイン構造変化の直接観察【技術シーズ:その場走査透過電子顕微鏡法(STEM)】

R-9ハイスループット第一原理計算による新規プロトン伝導体の探索

新奇なプロトン伝導体の計算探索と実験による実証【技術シーズ:ハイスループット第一原理計算】

R-10BaZrO3中のプロトン伝導と局所格子歪み

伝導度の支配因子が添加元素により異なることを解明【技術シーズ:第一原理計算/回帰分析/グラフ理論】

R-11 Ca添加YPO4におけるプロトン伝導機構の第一原理計算

YPO4中の欠陥濃度定量化とプロトン伝導経路を決定【技術シーズ:点欠陥濃度解析/移動エネルギー障壁計算】

環境材料

R-12 天然ガス田におけるヘリウムの膜分離回収シミュレーション

分離条件に必要な膜特性、膜面積を予測【技術シーズ:純ガスデータによる二成分プラグフロー】

R-13 ガラス精密研磨用セリア系砥粒スラリーの劣化挙動

砥粒スラリーの劣化原因が砥粒凝集であることを解明【技術シーズ:噴霧熱分解法】

R-14 数十nm均一孔を有する高気孔率アルミナ多孔体の合成

100 nm未満の均一孔、約60 %開気孔率のα‐アルミナ多孔体【技術シーズ:噴霧熱分解法】

R-15 棘状表面を有するセグメント構造TiON膜の創成とその抗菌性

セラミックス膜の表面形状制御による抗菌性の発現【技術シーズ:電子ビームPVD】

誘電体材料設計

R-16MIと非平衡プロセスによる巨大誘電率材料探索

準安定材料を含む広大な材料空間から新材料を探索【技術シーズ:マテリアルズインフォマティクス(MI)】

R-17 ペロブスカイト構造酸化物のフォノンインフォマティクス

フォノン分散曲線による分類および推定【技術シーズ:第一原理計算/フォノン(格子振動)計算】

R-18 ReO3型酸フッ化物NbO2Fの誘電特性発現機構

ReO3型誘電材料の誘電特性を実験および計算で初めて解析【技術シーズ:ナノ構造分析、誘電率の理論計算】

R-19 強誘電性半導体LaWN3の相安定性および電気的特性

非酸化物強誘電性半導体の基本物性の予測【技術シーズ:第一原理計算、フォノン(格子振動)計算】

プロセスインフォマティクス

R-20セラミックスの製造プロセスインフォマティクス

プロセス最適化を支援するサイバー実験プラットホーム【技術シーズ:統合型プロセスシミュレータ】

R-21積層部材の微構造/変形シミュレーション

ミクロ/マクロスケールの連続計算【技術シーズ:微構造変化と変形の3Dシミュレーション】

先進微構造解析

R-22 共焦点蛍光顕微鏡によるスラリー内部の粒子挙動その場観察

粒子形状によって粒子の堆積挙動は変化する!【技術シーズ:微粒子分散系内部構造の微速度/3次元撮影】

R-23 プラズマFIBを用いた大領域3次元構築

従来のGa-FIBの200倍以上の領域の3次元構築【技術シーズ:大領域高精細3次元構築】

R-24低ドーズ電子線ホログラフィーによる有機EL素子内部の電位計測

ナノスケールにおけるダメージレスな電位分布計測【技術シーズ:電子線ホログラフィー/機械学習】

R-25 走査透過電子顕微鏡法を用いたPt表面の精密原子間距離計測

Pt表面のピコメートルスケールでの格子膨張計測に成功【技術シーズ:走査透過電子顕微鏡法】

R-26 金ナノ粒子の表面拡散のHRTEMその場観察

従来にない高速連続動画撮影に成功【技術シーズ:HRTEM/電子直接検出器/機械学習】

R-27 STEM-EDS法によるゼオライト前駆体ゲルの組成分布解析

ゼオライトの結晶サイズが前駆体の化学組成均一性に依存【技術シーズ:STEM-EDS法】

試験評価技術

全体

T-0 ファインセラミックスセンターの試験評価、機器利用

長年培ってきた高精度な試験評価技術および高性能な各種研究設備をご利用頂くことが出来ます。

加工・プロセス

T-1 セラミックスの加工技術

研究および材料評価に適した加工を行うための切断、研削、研磨の高精度加工装置および技術を保有

T-2N新規材料開発・研究に貢献するセラミックス製造技術

高度なセラミックス製造プロセス技術によりセラミックスの材料開発を支援
(酸化物系・非酸化物系構造材料、各種機能性材料に対応可)

T-3 焼結シミュレーションSinterPro MC版 -焼結時の組織設計支援-

焼結シミュレーションにより焼結時の組織変化を分析し、焼結部材開発の短縮化・高効率化に貢献

T-4 焼結シミュレーションSinterPro FEM版 -焼結時の変形課題の対策に-

焼結シミュレーションにより自重や底面との摩擦、内部の収縮差等による焼結時の変形を再現

T-5 高温過熱水蒸気処理技術

過熱水蒸気を用いた各種セラミックス成形体の高速脱脂やCFRP廃材からの炭素繊維回収が可能

T-7 電子ビームPVDによる先進汎用コーティング技術

国内最大級の電子ビームPVD装置により、多種多様なセラミックスコーティングの高速成膜が可能

機械的特性

T-9N機械的特性に関する評価技術

各種材料に対して測定目的に合った機械的特性評価を提供
(基礎物性評価および信頼性評価)

T-10 圧子圧入(IF)法による窒化ケイ素材の破壊靭性評価

転がり軸受用窒化ケイ素材の基本特性評価および等級分類のひとつである破壊靭性評価が可能

T-11 強化繊維の引張特性評価技術

ハンドリングによるダメージを極力抑えて直径10 μm程度の繊維1本または繊維束の状態で引張試験を実施可能

熱的特性

T-13N薄膜試料から断熱材までの熱特性評価技術

バルク試料だけでなく原材料粉やフィルムといった様々な材料形態に対応した熱伝導率評価が可能

T-16N積分球を用いた反射法による赤外線放射率の測定

FTIRに積分球を取り付けることで拡散成分を含めた分光反射率の測定が可能

T-17 高温X線回折を用いた粉末試料の熱膨張率評価技術

通常、熱膨張率測定はバルク試料を用意する必要があるが本手法では粉末試料にて熱膨張率評価を行うことが可能

電気的特性

T-18Nセラミックス材料の電気抵抗評価技術

1200 ℃までの高温域、各種雰囲気での測定が可能
被測定物の抵抗値により測定方法を2種類から選択

T-21 自動運転車向けミリ波帯の電波特性評価

自動運転技術を支援する車載監視用レーダーに用いられる材料(樹脂材、吸収体など)の電波特性を高精度に評価

構造・機能評価

T-27N多孔質材料のガス透過率評価技術が可能

多孔質材のガス透過率を非破壊で簡便に精度よく評価可能

T-28Nエッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術

大口径ウエハ中の結晶欠陥情報を安価かつ多面的評価が可能/パワーデバイスの信頼性向上に有用な情報を提供

T-30 X線CTによる材料評価技術

【直交型(一般的)】JFCCでは3種類のX線管球を選択可能
【斜め照射型】基板形状の試料を切り出し不要で撮影可能

電子顕微鏡

T-36 EBSD法を用いた微細領域高精度歪み解析技術

HR-EBSD法は、EBSD-KAM等による歪み解析では検出が困難な極小さな歪みを検出することが可能

T-37 EBSD-EDS同時検出による結晶方位および相分離解析技術

従来のEBSD法では結晶相分離が困難な材料系に対して、EDS元素分析と組み合わせることで相分離解析が可能

T-38 Ga-FIB-SEMを用いた3次元構築

FIB-SEM像と最新材料科学向けソフトウェアAvizoとの連携による高精度3次元情報の提供

T-39 大気圧走査電子気顕微鏡による​電気化学反応その場観察

大気圧走査電子顕微鏡への電気化学反応システム導入により、液中反応のナノスケールその場観察を実現


会場のご案内

 日時:2024年7月12日(金)12:00~17:00

 場所:愛知県産業労働センター「ウインクあいち」

ウインクあいち地図
アクセス
愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38
https://www.winc-aichi.jp/access/

 日時:2024年7月19日(金)12:00~17:00

 場所:日本科学未来館 7階 未来館ホールほか

日本科学未来館
アクセス
東京都江東区青海2丁目3番6号
最寄駅:新交通ゆりかもめ テレコムセンター駅
https://www.miraikan.jst.go.jp/visit/location-directions/

第32回 ナノ構造研究所 材料計算セミナーのお知らせ

 ナノ構造研究所の活動の一環として、下記のセミナーを開催いたします。最新の理論計算とその応用の一端を知っていただければ幸いです。今回は、弊所の研究員 小川 貴史より、半導体やセラミックスの機能性と関わりの深い点欠陥の挙動を第一原理計算に基づいて理論的に解析する技術について、講演及び解析支援ツール pydecs を用いたハンズオン実習を行います。講演、実習のいずれかのみのご参加も可能です。皆様のご参加をお待ちしております。

[ 開催要項 ]
共催文部科学省 データ創出・活用型マテリアル研究開発プロジェクト
(東京工業大学 智慧とデータが拓くエレクトロニクス新材料開発拠点)
科学費基盤(B)「熱平衡点欠陥濃度の理論評価手法の開発」
科学費学術変革領域研究(A)「超セラミックス:分子が拓く無機材料のフロンティア」
日時2024年6月12日(水) 10:30~(受付開始:10:00)
場所一般財団法人ファインセラミックスセンター(案内図はこちら
定員30名(先着順)
参加費無料
申込方法下記申込フォームからお申し込みください。
申込フォーム:https://forms.office.com/r/eVu2NqYQ9p?origin=lprLink

上記フォームが上手く動作しない場合、電子メールにて
郵便番号、住所、所属機関、部署、氏名、電話番号を明記の上、お申し込みください。

e-mail 担当:横井(keisan_seminar@)
(※メール発信は@の後ろに jfcc.or.jp を付けてご送付ください)
[ プログラム ]
10:00受付開始
10:30開会挨拶 ナノ構造研究所 主席研究員 森分博紀 グループ長
10:32「第一原理計算を用いた半導体・セラミックス中の点欠陥の熱力学的解析:基礎原理と応用例」
 ナノ構造研究所 上級研究員 小川 貴史
11:45休憩(昼食各自)
12:45受付開始(午後のみ参加の方)
13:15「ハンズオン:点欠陥濃度解析ツール pydecs を用いた点欠陥濃度解析」
 ナノ構造研究所 上級研究員 小川 貴史
17:00終了予定

過去に開催されたイベント

JFCCでは様々なイベントの企画・展示会への出展を行っています。過去に行われたイベントの日時やプログラムをご覧頂けます。