第21回JFCC先端技術セミナーのご案内
「サステナブルな未来を拓く革新材料開発と先端解析技術」
平素よりJFCCの業務にご理解とご協力を賜り、誠に有難うございます。
JFCCにおける当該分野での最先端の研究開発の取り組みをご紹介させて頂きます。皆様の技術開発の一助となれば幸甚です。
皆様のご参加をお待ち申し上げております。また、社内関係者にも展開していただけると有り難く存じます。
【日時】 2026年9月17日（木） 13時30分～15時
【配信方法】Teamsで配信
【参加費】 無料（要事前登録）
【定員】 ３００名（先着順）
【プログラム】 各講演30分、質疑10分
講演１：最先端電子顕微鏡技術による全固体電池のオペランド観察
講演者：ナノ構造研究所 主幹研究員 山本 和生
概 要：全固体電池は、次世代蓄電池として日本を中心に長年研究され、車載用としては実用化間近の状況にあります。JFCCでも長期間にわたり、電子顕微鏡内で全固体電池を動作させる技術を世界に先駆けて開発し、電池内部の電位分布変化やLi濃度分布のオペランド観察を行ってきました。本講演では、電子線ホログラフィーやSTEM-EELSなどの顕微鏡技術と機械学習を融合した最先端計測技術を用いて、全固体電池のオペランド観察を行った結果をご紹介致します。
講演２：位相差顕微鏡によるGaN結晶中の欠陥の非破壊観察
講演者：材料技術研究所 上級研究員 勝部 大樹
概 要：位相差顕微鏡法は、100年近く前に考案され、主に生細胞の観察などに用いられている顕微技術です。これを無機結晶に適用した際に、透過電子顕微鏡やX線トポグラフィ等の技術でしか見ることのできなかった結晶中に存在する貫通転位を観察することができることがわかってきました。位相差顕微鏡は、非破壊で結晶中の貫通転位やその他の欠陥を容易に観察することができます。本講演では、位相差顕微鏡の概要とGaN結晶の観察例についてご紹介致します。
【お申し込み締切】 9月16日（水）午前まで
参加申込いただいた方には、後日e-mailアドレスにセミナーのご招待メールをお送りいたします。
【お申し込み方法】
下記「お申込み」ボタンより申込みページに入り、必要事項を入力の上、お申し込みください。
その後、本登録をしていただくと[受付完了]メールが届きます。
本登録をされないと受付完了にならないため、ご注意ください。
内容変更や取消の際に必要となりますので、セミナー終了まで保管をお願いいたします。
[受付完了]メールが届かない場合は、再度入力送信頂くか、事務局（sentan_seminarjfcc.or.jp）までメール頂きますよう、宜しくお願いいたします。
(※メールアドレス内の＠はテキストコピーできませんのでご注意ください）