試験評価

Testing & Evaluation Services

7.特殊評価試験

 反応・分離特性、SiC結晶欠陥分析、破壊ガス分析があります。反応・分離特性では、サブナノ~ミクロンオーダーの液体および気体の透過性を特徴づける貫通孔ネック部の細孔径分布評価とガス透過率測定が可能です。Etching法はSiCウェハ全面の転位を検出・分類します。全てのp型-n++型(n>1019cm-3) SiC基板・エピ膜に適用可能です。その他、EBIC法、PL法、Raman分光法及びFIB-TEM法を用いたSiC結晶欠陥分析もご要望に応じ承っております。GaN等他のワイドバンドギャップ半導体についてもお気軽にご相談下さい。
 破壊ガス分析は、無機材料のプロセスまたは使用時に材料組織内に混入するガスについて調べる手法です。材料に生じた空孔や、結晶粒界に含まれるガスの質量数を測定することができます。例えばプロセスで用いられる雰囲気ガスの残留具合を確かめるといった目的で用いられております。

種別 項目 単位 単価(円)
反応・分離特性 特殊材料細孔分布、比表面積測定
(酸素や水分などと反応しやすい材料をシールドしたまま比表面積や細孔分布を測定可能)
試料調整(グローブボックス内) 1試料 30,000~ 
50,000
細孔分布測定 1試料 80,000
比表面積測定 1試料 65,000
ガス、セル等 -- 別途相談
通常試料(シールド不要な試料)の場合
前処理(350℃-2h 標準)*
1試料 20,000~
細孔分布測定 1試料 80,000
比表面積測定 1試料 65,000
ガス、セル等 -- 別途相談
*前処理条件(時間)変更の場合 -- 別途相談
ガス透過率測定
試料調製 -- 別途相談
N2ガス(標準)、温度測定(室温~150℃) 1試料 80,000
その他ガス(同一条件1ガス測定毎) 1試料 18,000
高温測定(150℃以上) 1試料 別途相談
解析 1測定 別途相談
ガス等 -- 別途相談
ガス透過率測定②(JISR1761準拠) -- 別途相談
細孔分布評価
試料調製 -- 別途相談
毛管凝縮法-1(0.5~30nm、水蒸気) 1試料 80,000
毛管凝縮法-2(0.015~500μm、Airガス、室温測定) -- 80,000
解析 -- 別途相談
種別 項目 単位 単価(円)
SiC結晶欠陥分析 EtchPit法によるエッチング(転位の種類・分布・密度を同時測定)
・手法:KOH or KOH+Na2O2(KN)エッチング
・p-n++ SiC に適用可能
・SiCの結晶系によらず適用可能
・0-8°オフで適用可能
ウエハサイズ 1inchφ以下 基本料金(条件出し) 1枚 35,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ以下 1枚
(1~5枚目)
6,000 ※2
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 基本料金(条件出し) 1枚 60,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 1枚
(1~5枚目)
10,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ 1枚 95,000 ※1
ウエハサイズ 4inchφ 1枚
(1~5枚目)
20,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ以上 -- 別途相談
ウエハサイズ 0.3 inchφ以下 -- 別途相談
解析 -- 別途相談
(000T)C面のエッチング -- 別途相談

※1 ウエハに合わせて条件設定するため同等品のダミー1枚必要
  (ダミー確認時のレーザー顕微鏡写真は添付。 各ウエハの写真は別料金)

※2 1枚目の設定条件に従う場合
  (1枚毎に条件設定が必要な場合は2枚目以降の割引はなし)

※   1回の発注は5枚以内

※   KOH+Na2O2(KN)エッチング:基本料金×2(条件出し+1枚目)+割引料金(2~5枚目)

上記の単価には消費税を含みません
種別 項目 単位 単価(円)
破壊ガス分析 10-7Pa程度の超高真空で支点間距離30nn-10mmの4点曲げにより試験片を破断し、
破面等から放出されるガスを質量分析計で定性分析する。
室温、試験片寸法は4mmx3mmx40mm。
分析可能な質量数はm/e=1~50 3点曲げ、引張り等にも対応可。
最少受注本数:3本
1本 40,000

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特殊材料細孔分布・比表面積測定

特徴
 粉末などの細孔分布や比表面積は、通常、空気中で取り扱い、試料ホルダーに導入して測定します。本評価方法では、試料ホルダーを密閉式とし、空気雰囲気で取り扱い困難な材料について、細孔分布・比表面積の測定を可能としております。

主な仕様
グローブボックス(美和製作所、DBO-1特型)
・循環ガス:Ar
・水分値(露点):-80℃
・酸素値:1ppm

グローブボックス
グローブボックス

細孔分布・比表面積測定装置(シスメックス株式会社、Autosorb-1)
・吸着ガス
 非腐食性ガス:N2、Ar、CO2、C4H10
 クリプトンガス:Kr
 化学吸着用ガス(腐食性可):NH3、CO2、H2、CO、O2
※現状使用では、N2とArで使用
・性能
 比表面積:0.05m2/g以上
 測定相対圧力:1×10-7<P<P0<1
 細孔分布:0.35<D<500nm
 容積検出限界値: <0.0001ml/g

細孔分布・比表面積測定装置
細孔分布・比表面積測定装置

SiCウェハの結晶欠陥分析

次世代パワーデバイス用SiCウェハの結晶欠陥の位置、種類、数量を正確且つ簡便に見分けるEtchPit法及びEBIC法を世界で初めて開発

EtchPit法とEBIC法

(000T)C面のエッチング

EtchPit法とEBIC法
図:SiC カーボン面エッチピット法による貫通転位の検出と分類
(エッチング実施・撮影:JFCC, 2014年2月)
Threading dislocations revealed from the (000-1)C-face of SiC
(Etched and observed at JFCC in Feb. 2014)

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