2019年度

JFCC研究成果集

新時代の扉を開く革新的・材料開発/解析技術

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T-34
2019

EBSD-EDS同時取得による結晶方位および相分離解析技術


技術のポイント

EBSD法では結晶相分離が困難な試料に対して、EDS元素分析と組み合わせることで相分離解析が可能



保有設備
・電界放出走査電子顕微鏡 JSM-7800F PRIME (日本電子製)
・結晶方位解析装置 Digiview V EBSD System (TSL製)
・エネルギー分散型X線分光装置 JED-2300 (日本電子製)

解析事例 〜Si中に存在するSiCの結晶相分離解析〜
IQ-map
1.EBSD測定のみでの相分離解析結果
Siと3C-SiCはどちらも立方晶なためEBSD情報のみでは分離が困難

2.EBSD測定時に同時取得したEDS元素情報での相分離解析結果
SiもしくはSi-C成分領域に分離。しかしEDS情報のみではSiCは3Cと6H分離が困難

3.EBSD+EDSの複合解析による相分離解析結果
通常のEBSD測定のみでは困難であった結晶相分離に成功



適用分野

・微小領域での結晶系解析   ・結晶相分布解析
・結晶方位分布解析      ・結晶粒径分布解析
・結晶歪分布解析



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