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| T-34 2019 |
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| Siと3C-SiCはどちらも立方晶なためEBSD情報のみでは分離が困難 | |||||||
| 2.EBSD測定時に同時取得したEDS元素情報での相分離解析結果 | |
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| SiもしくはSi-C成分領域に分離。しかしEDS情報のみではSiCは3Cと6H分離が困難 | |
| 3.EBSD+EDSの複合解析による相分離解析結果 | |||
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| 通常のEBSD測定のみでは困難であった結晶相分離に成功 | |||
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| ・微小領域での結晶系解析 ・結晶相分布解析 ・結晶方位分布解析 ・結晶粒径分布解析 ・結晶歪分布解析 |
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